【資料圖】
歐姆接觸指的是它不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，而且不會(huì)使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的改變。 欲形成好的歐姆接觸，有二個(gè)先決條件：
（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的勢(shì)壘高度(Barrier Height)
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（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使半導(dǎo)體耗盡區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透(Tunneling)，而同時(shí)使Rc阻值降低。
若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Gap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無(wú)適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。
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